MSJPF11N65-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）典型值為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確?？煽康臇艠O驅動控制與器件穩定性?；谔蓟璨牧系奶匦裕撈骷邆鋬灝惖母哳l開關能力、耐高溫性能及較低的反向恢復電荷。適用于高效率開關電源、直流變換模塊、光伏逆變單元及高功率密度電源系統，適合在高頻率、高熱應力環境下工作的電力電子電路中使用。
