P3M17040K3_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:67A 參數(shù)2：VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品是一款性能優(yōu)異的碳化硅（SiC）N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有高導(dǎo)電性和耐壓能力。其最大漏極電流ID為67A，漏源擊穿電壓VDSS為1700V，導(dǎo)通電阻RDON低至40mΩ，能夠在高電壓和高頻環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高效、低損耗的電能轉(zhuǎn)換。適用于高功率電源系統(tǒng)、能源轉(zhuǎn)換設(shè)備、智能電力設(shè)施及高可靠性電子裝置，滿(mǎn)足對(duì)效率與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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