CI30N65SM_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:39A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道結構，具備39A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中高功率電力轉換應用。其導通電阻（RDON）僅為60mΩ，有效降低導通損耗，提升整體系統效率。基于碳化硅材料，該器件具備良好的熱導率和高頻開關特性，支持高效、緊湊的電源設計。適用于電源適配器、儲能系統及高效能電力電子裝置，滿足對高可靠性與高性能的復雜電力控制需求。
