HT39N650ADZ_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:39A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備優(yōu)異的電學(xué)性能。其最大漏極電流為39A，漏源擊穿電壓達650V，導(dǎo)通電阻低至60mΩ，可支持高功率密度與高效能設(shè)計。該器件具有快速開關(guān)響應(yīng)、低損耗及高熱穩(wěn)定性等特點，適用于新能源發(fā)電、儲能系統(tǒng)、高端電源轉(zhuǎn)換及精密電子設(shè)備中的功率控制與能量管理，滿足高頻、高壓、高效率的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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