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S3D30065G_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-263N 類(lèi)別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤(pán) 參數(shù)1:IF:30A 參數(shù)2:VR:650V 參數(shù)3:VF:1.41V 參數(shù)4:二極管配置:獨(dú)立式 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

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該碳化硅二極管為獨(dú)立式配置,具備30A的正向電流(IF)和650V的反向重復(fù)峰值電壓(VR),適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其正向?qū)▔航担╒F)為1.41V,在同類(lèi)器件中表現(xiàn)優(yōu)異,有助于減少導(dǎo)通損耗,提升能效。采用碳化硅材料,具備出色的開(kāi)關(guān)特性與高溫工作能力,反向恢復(fù)時(shí)間短,可支持高頻應(yīng)用。器件適用于大功率電源系統(tǒng)、儲(chǔ)能設(shè)備中的能量轉(zhuǎn)換模塊以及高性能逆變裝置,其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有利于熱管理與系統(tǒng)集成,適合對(duì)效率和可靠性有較高要求的電力電子設(shè)備。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014