SIHD240N65E-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為160mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保開關動作的穩(wěn)定性與可靠性。采用碳化硅材料，器件具有優(yōu)異的耐高溫性能和快速開關特性，適用于高頻率、高效率的電力轉換場景。典型應用涵蓋高壓電源、可再生能源逆變系統(tǒng)、儲能設備中的功率變換模塊，以及對功率密度和熱管理有較高要求的電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
