GC2M0160120D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247 類(lèi)別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:ID:18A 參數(shù)2:VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:160mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)采用N溝道結(jié)構(gòu),具備18A的連續(xù)漏極電流(ID)和1200V的漏源擊穿電壓(VDSS),適用于高電壓和高功率場(chǎng)景。導(dǎo)通電阻(RDON)低至160mΩ,有助于降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。器件基于碳化硅材料打造,具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)性能,可滿足高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換需求。主要應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、新能源設(shè)備以及高密度電力系統(tǒng)中,為復(fù)雜工況下的電力控制提供可靠支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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