IPD60R400CEAUMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓額定值（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效降低功率損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定柵極驅(qū)動與閾值控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優(yōu)異的高頻開關性能、高溫穩(wěn)定性和低反向恢復電荷，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景，如大功率開關電源、可再生能源逆變系統(tǒng)、儲能裝置的功率變換模塊以及對熱性能和空間布局要求較高的電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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