HXY30N10BD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:37mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管額定漏源電壓為100V（VDSS），可承受較高電壓應(yīng)力，適用于升壓或高壓直流電源環(huán)境。在20V柵源電壓（VGS）驅(qū)動下，導(dǎo)通電阻為37mΩ，支持30A連續(xù)漏極電流（ID），具備良好的導(dǎo)通能力與熱穩(wěn)定性。其開關(guān)特性適合用于高頻率功率轉(zhuǎn)換電路，如開關(guān)電源、適配器及電池管理系統(tǒng)中的主開關(guān)元件。器件能夠在高電壓條件下實現(xiàn)較低能量損耗，適用于對效率和可靠性有要求的電源架構(gòu)，尤其適合集成于緊湊型電子設(shè)備的功率級設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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