HXY2306I_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有30V漏源電壓（VDSS）、4A連續(xù)漏極電流（ID）及29mΩ低導(dǎo)通電阻，柵源電壓最大為20V，適用于中低壓功率開關(guān)應(yīng)用。器件在低電壓下具備良好的導(dǎo)通特性與開關(guān)速度，可有效減少傳導(dǎo)損耗。其結(jié)構(gòu)設(shè)計有助于實現(xiàn)快速開關(guān)響應(yīng)，適用于便攜式設(shè)備電源管理、直流電機驅(qū)動、開關(guān)電源模塊及電池供電系統(tǒng)中的同步整流等場景。具備穩(wěn)定的熱性能與柵極可靠性，適合對能效和空間利用率有要求的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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