HXYG60N03NF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備30V漏源電壓（VDSS）和60A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4.3mΩ，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現(xiàn)高效導(dǎo)通。器件適用于高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，可用于同步整流、大電流電源開關(guān)及電池管理系統(tǒng)中的主控通斷電路。其低導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)能效。適合集成于對功率密度與熱性能有要求的高性能電子設(shè)備中，支持穩(wěn)定可靠的高負(fù)載工作表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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