HXY30N04D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有30A的漏極電流（ID）和40V的漏源電壓（VDSS），適用于中高功率開關(guān)應(yīng)用。在20V柵源電壓（VGS）驅(qū)動下，導(dǎo)通電阻低至18mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合用于直流電源轉(zhuǎn)換、電池供電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)以及負(fù)載控制電路。其性能表現(xiàn)可滿足多類高密度電源設(shè)計(jì)對響應(yīng)速度與能效的要求，適用于對空間和功耗敏感的嵌入式電源模塊及便攜式電子設(shè)備中的功率管理方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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