HXY3400BMI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:24mR 參數(shù)4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），在VGS=12V時導通電阻低至24mΩ，最大連續(xù)漏極電流（ID）為5.8A。較低的RDSON有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換電路，如同步整流、DC-DC變換器及電機驅(qū)動模塊。其高電流承載能力與快速開關(guān)特性，適合用于緊湊型電子設(shè)備中的功率控制場景，滿足對熱性能和空間布局有要求的應用設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
