HXY4N150MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具有150V漏源耐壓，連續(xù)漏極電流為4A，導通電阻低至18mΩ，適用于在20V柵源電壓下工作的功率開關(guān)電路。高耐壓與低導通損耗特性使其適合用于直流電機驅(qū)動、開關(guān)電源及逆變器中的功率轉(zhuǎn)換級。器件具備快速開關(guān)響應能力，可有效提升系統(tǒng)能效，適用于對功率密度和熱性能有要求的電路設(shè)計。典型應用包括電池供電設(shè)備的主控開關(guān)、LED驅(qū)動電路及中等功率電源模塊中的同步整流單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
