HXY20P80GNF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:18V 參數(shù)3：RDON:3.4mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有18V漏源電壓（VDSS）和高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于大電流開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至3.4mΩ（RDON），顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓為12V，兼容常規(guī)驅(qū)動(dòng)電路。由于其高電流承載能力和極低的RDON，適合用于同步整流模塊、高性能電源轉(zhuǎn)換器、電池供電設(shè)備中的功率開關(guān)以及負(fù)載切換電路。器件在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效熱管理，適用于對功率密度和能效要求較高的緊湊型電子設(shè)備電源架構(gòu)設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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