HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:49A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具有650V的漏源擊穿電壓，連續(xù)漏極電流可達(dá)49A，導(dǎo)通電阻低至33mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的開關(guān)性能與高溫工作能力，可有效降低系統(tǒng)能量損耗。廣泛用于高密度電源、可再生能源逆變裝置及高性能電力變換設(shè)備中，適合對(duì)熱管理與電氣性能有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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