HXY3020GD_TO-252-4L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-4L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該場效應管采用NP溝道設(shè)計，具備20A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于中等功率電源管理場景。其導通電阻低至18mΩ（RDON），有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓最大支持±20V（VGS），具備較好的驅(qū)動兼容性。N溝道與P溝道集成設(shè)計便于實現(xiàn)雙向控制與互補開關(guān)功能，適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電源冗余及便攜式設(shè)備中的電源管理電路，滿足對空間與效率有要求的應用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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