HXYG60N06NF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有60V漏源電壓（VDSS）和40A連續(xù)漏極電流（ID），在20V柵源電壓下導(dǎo)通電阻僅為11mΩ，具備出色的電流承載能力與低導(dǎo)通損耗特性。采用優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提升了開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，適用于高效同步整流電路、大功率DC-DC變換器及便攜式高能設(shè)備的電源管理模塊。器件可有效減少能量損耗，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，廣泛用于通信基站電源、高端消費(fèi)類電子產(chǎn)品供電單元及儲能系統(tǒng)的能量調(diào)控環(huán)節(jié)，滿足對高功率密度與長期運(yùn)行可靠性的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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