HXYS22N90MP_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:22A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有900V的漏源擊穿電壓，支持22A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻為120毫歐。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)能力與高溫穩(wěn)定性，可顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)能效。適用于高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，如大功率開關(guān)電源、高壓DC-DC變換器及高效逆變裝置，尤其適合對(duì)散熱性能和轉(zhuǎn)換效率要求較高的緊湊型電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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