HXYT50N120MPC_TO-247P_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):50A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT具備50A的集電極電流和1200V的集射極擊穿電壓，適用于高電壓、大電流工作環(huán)境。其集射極飽和電壓為1.9V，有助于降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。內(nèi)置反并聯(lián)二極管具有50A正向電流能力，正向壓降為2.7V，可有效支持續(xù)流和能量回饋操作。該器件適用于中高功率電力變換裝置，如逆變電源、開關(guān)電源、太陽能逆變系統(tǒng)及電機驅(qū)動單元，能夠滿足對熱穩(wěn)定性與開關(guān)性能要求較高的應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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