HXY4805BS_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:ID:8.5A 參數(shù)2:VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:26mR 參數(shù)4:VGS:20V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)P溝道MOSFET具有30V漏源電壓(VDSS)和20V柵源電壓(VGS)耐受能力,連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)8.5A,導(dǎo)通電阻(RDON)低至26mΩ,有助于減少功率損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。器件適用于中等功率開關(guān)場(chǎng)合,如電源轉(zhuǎn)換模塊、電池供電設(shè)備的功率切換、直流-直流變換電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元。其較低的RDON和較高的電流承載能力,使其在高密度電路設(shè)計(jì)中具備良好的熱性能和響應(yīng)特性,適合用于對(duì)能效和空間布局有要求的嵌入式系統(tǒng)與便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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