HXY70P02NF_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:18V 參數(shù)3：RDON:4.2mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有18V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中低電壓開關(guān)場景。其連續(xù)漏極電流（ID）可達70A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至4.2mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應(yīng)用中發(fā)熱量較小，適合對熱性能有要求的電路設(shè)計。該器件適用于電源管理、直流負(fù)載開關(guān)、電池供電設(shè)備中的逆極性保護以及高側(cè)開關(guān)等應(yīng)用，為需要高效、緊湊功率控制的電子系統(tǒng)提供可靠的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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