HXY4N50D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：VGS:30V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具備500V高漏源耐壓，連續(xù)漏極電流為4A，導(dǎo)通電阻為2400mΩ，在30V柵源電壓下可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定開關(guān)控制。器件適用于高壓功率開關(guān)應(yīng)用，具備良好的熱穩(wěn)定性和擊穿裕量。其高耐壓特性適合用于離線式電源轉(zhuǎn)換電路，如反激變換器、高壓側(cè)開關(guān)及直流高壓負(fù)載的驅(qū)動(dòng)控制。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源的功率級(jí)、高壓LED照明驅(qū)動(dòng)、適配器中的主開關(guān)管以及需要直接接入高壓母線的功率控制模塊，滿足對(duì)電氣隔離與安全裕度要求較高的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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