HXY5N40P_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:5.5A 參數(shù)2：VDSS:400V 參數(shù)3：RDON:920mR 參數(shù)4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有400V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），可承受持續(xù)的5.5A漏極電流（ID）。導(dǎo)通電阻典型值為920mΩ，在中等功率開關(guān)應(yīng)用中具備較低的導(dǎo)通損耗。器件采用標準封裝，柵極驅(qū)動電壓兼容性強，適用于需要高壓側(cè)開關(guān)控制的電路。廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動模塊、LED照明調(diào)光及高效率DC-DC變換器中，作為主開關(guān)元件提供穩(wěn)定可靠的性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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