SCT3030AW7TL-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備73A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為26mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，同時具有良好的熱導(dǎo)性能和穩(wěn)定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，可在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下維持可靠運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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