NTPF082N65S3F-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達18A，導通電阻（RDS(ON)）為94mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備高擊穿電場強度與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場合。其寬VGS范圍提升了驅(qū)動電路的適配能力，在硬開關(guān)或軟開關(guān)拓撲中均可實現(xiàn)穩(wěn)定的開關(guān)性能和較低的溫升。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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