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TK110U65Z,RQ_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TOLLS 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2000/圓盤 參數(shù)1:ID:36A 參數(shù)2:VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:94mR 參數(shù)4:VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A,漏源電壓耐受能力達(dá)650V,導(dǎo)通電阻為94mΩ,柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料特性,器件在高頻開關(guān)條件下展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高頻電力電子設(shè)備。其寬柵壓容限有助于提升驅(qū)動(dòng)兼容性與運(yùn)行穩(wěn)定性。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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