IPW65R190CFDFKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，并支持高頻操作。其負(fù)向柵壓容限有助于增強(qiáng)關(guān)斷可靠性，適用于對(duì)能效、熱管理和空間布局有嚴(yán)格要求的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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