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GSFU6522_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數1:ID:20A 參數2:VDSS:650V 參數3:RDON:160mR 參數4:VGS:-5~+16V 標價:歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具有20A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓,導通電阻為160mΩ,柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料,具備優異的高頻特性和熱穩定性,適用于高效率電源轉換、開關模式電源及高頻逆變等場景。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升系統整體能效,同時簡化散熱設計。

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