IPP60R199CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至165mΩ，可有效減少導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性與器件可靠性。基于碳化硅半導(dǎo)體材料，具備優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)能力、高溫工作性能及較低的開(kāi)關(guān)損耗。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開(kāi)關(guān)電源、高壓直流變換模塊、光伏發(fā)電逆變單元以及儲(chǔ)能設(shè)備中的功率級(jí)電路，適合在對(duì)能效、熱管理和功率密度有較高要求的應(yīng)用中使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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