STP20N65M5-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V漏源耐壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持安全可靠的柵極驅(qū)動(dòng)操作。采用碳化硅材料，器件具有優(yōu)異的高頻開關(guān)特性、耐高溫性能及較低的開關(guān)損耗。適用于高功率密度電源系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換模塊、可再生能源發(fā)電逆變裝置及儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率級(jí)設(shè)計(jì)，適合在高效率、高頻率的電力變換場景中應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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