NTMT110N65S3HF-HXY_DFN8X8B_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN8X8B 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
該N溝道碳化硅MOSFET的漏極電流ID為37A，漏源電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為94mΩ，柵源電壓VGS工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、高效能電力電子系統(tǒng)等場(chǎng)景，能夠在提升系統(tǒng)效率的同時(shí)減少散熱需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
