NVMFS4C308NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.3毫歐，在柵源電壓高達20V的條件下穩(wěn)定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻率開關電路等場景。器件結構優(yōu)化了開關特性，適合在需要快速響應與高效能表現的電子系統(tǒng)中使用。
