IPW65R190C6FKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源擊穿電壓達(dá)800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備高耐壓能力與較低的導(dǎo)通損耗，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的效率和熱穩(wěn)定性。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動(dòng)電路的適配性，適用于對(duì)功率轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)緊湊性有較高要求的場(chǎng)合。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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