C3M0025065J1-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為73A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻典型值為26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子裝置等場景，在提升系統(tǒng)整體能效的同時有助于減小散熱設(shè)計負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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