NTH027N65S3F-F155-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為20mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高熱導(dǎo)率與寬禁帶特性，在高頻開關(guān)條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗。其低RDS(on)有助于提升系統(tǒng)整體效率，而較寬的VGS范圍則增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)靈活性和電路兼容性，適用于高功率密度及高效率要求的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
