IPP60R299CPXKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:306mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有9A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為306mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高效率應(yīng)用場景中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適用于對能效和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)適配多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可有效提升整體系統(tǒng)性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
