IXFX120N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至20mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開(kāi)關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性。低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率，寬柵壓范圍則增強(qiáng)了與不同驅(qū)動(dòng)電路的適配能力，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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