NVH4L027N65S3F-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:750V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓達750V，導通電阻低至20mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換場景。其低導通損耗與快速開關特性有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于對電氣性能和熱管理要求較高的電力電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
