IXTH64N65X-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻為58mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗和良好的熱穩定性，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對功率密度和能效有較高要求的電力電子應用。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時有助于提升系統可靠性。
