IXFX100N65X2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流（ID）為99A，漏源擊穿電壓（VDSS）達650V，導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，具備低導通損耗與高開關速度特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統(tǒng)及高頻電力電子設備，在提升系統(tǒng)整體能效和功率密度方面具有顯著優(yōu)勢。
