IAUCN10S7L040ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至3.6毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其優(yōu)異的導(dǎo)通特性可顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換及高電流開關(guān)應(yīng)用，在高頻或大電流工作條件下仍能保持穩(wěn)定的電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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