NTMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備75A的連續(xù)漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.4毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于需要高電流處理能力與良好熱穩(wěn)定性的場合，如開關(guān)電源、電機(jī)控制、不間斷電源及各類高密度功率轉(zhuǎn)換模塊，在高頻或大負(fù)載條件下仍能維持可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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