IMBG65R260M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:13A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，漏極電流ID為13A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)800V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的高頻開關(guān)場(chǎng)景。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)兼容性，適合在復(fù)雜電氣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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