STL16N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:14A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:315mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為14A，漏源擊穿電壓達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為315mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通損耗，在高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高頻開關(guān)電源等應(yīng)用中表現(xiàn)突出。其電氣參數(shù)組合支持在緊湊型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)良好的熱性能與能效平衡。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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