XP65SL380DH_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為260mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源及各類電力電子系統(tǒng)中，可有效降低開關(guān)損耗并提升整體能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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