STF26N65DM2-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）、11A的連續(xù)漏極電流（ID）以及165mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關(guān)操作中展現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，并具有良好的高溫工作能力。適用于高效率電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及對(duì)體積和能效有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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