STF21N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為165mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻特性和高溫穩(wěn)定性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗與快速開關(guān)能力有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于各類高電壓、中等電流的電源管理與能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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