SI7440DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻可有效降低導通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高效率、大電流的開關應用場景。典型用途包括直流電源管理、電機控制、電池充放電電路及各類需要低損耗功率開關的電子系統(tǒng)，能夠在頻繁開關和持續(xù)負載條件下保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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