NTMFS4C03NT3G_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:150A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有150A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至1.4毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)通。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的高電流開關(guān)場景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)特性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及高密度功率模塊等應(yīng)用中，能夠在緊湊空間內(nèi)提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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